而爱思强的MOCVD反应器将增强其硅基氮化镓外延片
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“要将microLED技术转化为生产,仅依据单项指标展示主导价值是不够的。我们必须确保每种外延片的整套规格都具有出色的可重复性和收益,”Veeco Compound Semiconductor业务部门高级副总裁兼总经理Peo Hansson博士表示。“此次成功联合再次肯定Veeco的优秀MOCVD专业知识与ALLOS硅基氮化镓外延片产品技术强强结合,能够为客户提供经验证的、可靠的创新方案,加速推进microLED应用。”

普莱思表示,AIX G5+ C反应器能够增强基于公司专有硅基氮化镓技术的单片Micro LED的研发能力。公司的Micro LED具备极低功耗、高亮度与超高像素密度等特点,将对使用LCD和OLED等传统技术的现有应用领域带来潜在的冲击。

2018年11月12日,两家公司将携手在日本金泽市召开的国际氮化物半导体工作研讨会上详细展示他们的突破成就。

新反应器的自动化清洁技术能够确保设备在每次运行时都处于清洁状态,有助于降低晶圆缺陷率并大幅减少维修停工时间。此外,新设备还具有更快的倾斜升温与冷却以及高的基座卸载温度,从而缩短配方时间。

“Veeco和ALLOS对晶片之间的可复制性进行了验证,所有晶片的平均波长标准偏差为1.21 nm,且峰值波长介于+/-0.5 nm范围内。由此,我们朝着+/-1 nm外延片分级的目标又迈进一大步,”ALLOS首席执行官Burkhard Slischka表示。“我们的技术已经可以在直径200 mm的晶片上使用,这样就能使用低成本、高收益的硅系列进行 microLED芯片生产。此外,我们对于300 mm晶片应用已有清晰的发展蓝图。”

新的爱思强反应器提供自动卡匣式晶圆传输模块晶片传送模块,具备两个独立的腔体配置选项,可实现8x6英寸或5x8英寸硅基氮化镓外延片在封闭的卡匣环境中的自动加载与移除。而普莱思现有的爱思强MOCVD反应器则可人工加载7x6英寸或3x8英寸外延片。

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